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光焱科技參與2025全國(guó)高分子學(xué)術(shù)論文報(bào)告會(huì)|中國(guó)廣州2025/11/22-11/26時(shí)間：2025/11/22-26地點(diǎn)：中國(guó)廣州展位：宴會(huì)廳門口Enlitech展示展位網(wǎng)站：中國(guó)化學(xué)會(huì)2025年全國(guó)高分子學(xué)術(shù)論文報(bào)告會(huì)（點(diǎn)此鏈接）主辦單...
量子效率測(cè)試系統(tǒng)可以用來(lái)測(cè)量各種結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)能電池，適合研發(fā)和品質(zhì)監(jiān)控使用。其光學(xué)設(shè)計(jì)，穩(wěn)定的硬件性能，雙光路雙鎖相放大器保證了系統(tǒng)測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和重復(fù)性。單色光單位面積光強(qiáng)使得系統(tǒng)在測(cè)試中有著更好的信噪比，更快的測(cè)量速度。系統(tǒng)備有豐富的硬件擴(kuò)展功能和整合能力，可以提供使用者更多的測(cè)試功能。太陽(yáng)能電池量子效率表示太陽(yáng)能電池產(chǎn)生的電荷載流子數(shù)目與入射到太陽(yáng)能電池表面的光子數(shù)目之比。QE（quantumefficiency）是對(duì)太陽(yáng)能電池外部效率的測(cè)量，IPCE（incident...
內(nèi)部量子效率（InternalQuantumEfficiency,IQE）也是計(jì)算光子-電子的轉(zhuǎn)換效率。與外部量子效率EQE不同的是，其計(jì)算的是入射到太陽(yáng)能電池內(nèi)部的光子數(shù)，以及其所產(chǎn)生的電子數(shù)。假設(shè)總共有10個(gè)光子入射太陽(yáng)能電池，在太陽(yáng)能電池表面有2個(gè)光子被反射。那么進(jìn)到電池材料內(nèi)部的光子數(shù)是（10-2）=8個(gè)光子而產(chǎn)生6個(gè)電子。那么此電池的內(nèi)部量子效率。IQE=產(chǎn)生電荷數(shù)/入射到材料內(nèi)部的光子數(shù)=6/(10-2)=75%。量子效率QE（QuantumEfficiency）...
穩(wěn)態(tài)太陽(yáng)光模擬器設(shè)備可以提供一個(gè)接近自然日光的環(huán)境，太陽(yáng)光模擬器的目的就是提供一個(gè)可控的室內(nèi)實(shí)驗(yàn)設(shè)施用于太陽(yáng)能光伏組件的測(cè)試。是一種在室內(nèi)模擬太陽(yáng)光的設(shè)備，在光伏行業(yè)，它主要用于太陽(yáng)電池和組件的電性能測(cè)試、光老化試驗(yàn)，熱板耐久試驗(yàn)等。一個(gè)常規(guī)的太陽(yáng)模擬器由光源、儲(chǔ)能供電電路、觸發(fā)電路、電子負(fù)載、采集電路以及計(jì)算機(jī)等模塊組成。其電源的設(shè)計(jì)相對(duì)較為簡(jiǎn)單，主要是恒流和恒壓以及調(diào)光控制，目前已經(jīng)有很多公司生產(chǎn)獨(dú)立的穩(wěn)態(tài)電源，可以作為模塊使用。需要注意的是，太陽(yáng)模擬器的供電電源是大功率...
介損絕緣試驗(yàn)可以有效地發(fā)現(xiàn)電器設(shè)備絕緣的整體受潮劣化變質(zhì)，以及局部缺陷等，在電工制造、電氣設(shè)備安裝、交接和預(yù)防性試驗(yàn)中都廣泛應(yīng)用。Voc損耗分析儀采用變頻電源技術(shù)，利用單片機(jī)和電子技術(shù)進(jìn)行自動(dòng)頻率變換、模/數(shù)轉(zhuǎn)換和數(shù)據(jù)運(yùn)算，達(dá)到抗干擾能力強(qiáng)、測(cè)試速度快、精度高、操作簡(jiǎn)便的功能。變頻電源采用大功率開關(guān)電源，輸出45Hz和55Hz純正弦波，自動(dòng)加壓，可提供10kV的電壓；自動(dòng)濾除50Hz千擾，適用于變電站等電磁干擾大的現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試。Voc損耗分析儀為一體化結(jié)構(gòu)，內(nèi)置介損電橋、變頻電源...
外部量子效率eqe（nint）是一個(gè)微觀過程復(fù)合載流子產(chǎn)生的光子數(shù)與復(fù)合載流子總數(shù)之比。因?yàn)闊o(wú)法去計(jì)數(shù)復(fù)合載流子總數(shù)和產(chǎn)生的光子總數(shù)。因此一般是通過測(cè)量LED輸出的光功率來(lái)評(píng)價(jià)這一效率。直接躍遷過程比間接躍遷過程簡(jiǎn)單，其外部量子效率取決于少數(shù)載流子的輻射復(fù)合與非輻射復(fù)合的壽命。提高外量子效率主要在于提高材料的純度、完整性和改進(jìn)PN結(jié)制作工藝的特性，以降低非輻射復(fù)合中心的濃度。外部量子效率eqe的測(cè)試方法與步驟：（1）將待測(cè)CCD芯片和標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器，以及它們各自的驅(qū)動(dòng)電路放置在暗...
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